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APT65GP60B2G /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT65GP60B2G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT65GP60B2

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:POWER MOS 7®

包装:管件

IGBT 类型:PT

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):250A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,65A

功率 - 最大值:833W

开关能量:605µJ(开),896µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:210nC

25°C 时 Td(开/关)值:30ns/91ns

测试条件:400V,65A,5 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-247-3 变式

安装类型:通孔

供应商器件封装:*

供应商APT65GP60B2G
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深圳市坤融电子有限公司APT65GP60B2G航都大厦10I0755-23990975
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APT65GP60B2GIGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - SingleMicrosemiMicrosemi的LOGO89.62 Kbytes共6页APT65GP60B2G的PDF下载地址
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