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APT68GA60B2D40 /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT68GA60B2D40的规格信息
APT68GA60B2D40的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：APT68GA60x(2)D40

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：POWER MOS 8??

包装：管件

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：121A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：202A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.5V @ 15V，40A

功率 - 最大值：520W

开关能量：715µJ（开），607µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：198nC

25°C 时 Td（开/关）值：21ns/133ns

测试条件：400V，40A，4.7 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-247-3 变式

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

供应商APT68GA60B2D40
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