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APT64GA90B2D30 /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT64GA90B2D30的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT64GA90x(2)D30

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:POWER MOS 8??

包装:管件

IGBT 类型:PT

电压 - 集射极击穿(最大值):900V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):117A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):193A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,38A

功率 - 最大值:500W

开关能量:1192µJ(开),1088µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:162nC

25°C 时 Td(开/关)值:18ns/131ns

测试条件:600V,38A,4.7 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-247-3 变式

安装类型:通孔

供应商器件封装:*

供应商APT64GA90B2D30
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