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APT64GA90LD30 /IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
APT64GA90LD30的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-264-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:900 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:117 A

Pd-功率耗散:500 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:117 A

高度:5.21 mm

长度:26.49 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:20.5 mm

商标:Microchip / Microsemi

集电极连续电流:117 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

商标名:POWER MOS 8

单位重量:10.600 g

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