标准包装10

类别半导体模块

家庭FET

系列POWER MOS V®

FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)600V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 17.5A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 2.5mA

闸电荷(Qg) @ Vgs475nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds9000pF @ 25V

功率 - 最大450W

安装类型底座安装

封装/外壳SOT-227-4，miniBLOC

供应商设备封装ISOTOP?

包装管件