包装：4SOT-227

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：500 V

最大连续漏极电流：58 A

RDS -于：65@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：60 ns

典型上升时间：70 ns

典型关闭延迟时间：155 ns

典型下降时间：50 ns

工作温度：-40 to 150 °C

安装：Screw

标准包装：Bulk

FET特点：Standard

封装：Bulk

安装类型：Chassis Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：5V @ 2.5mA

漏极至源极电压（Vdss）：500V

供应商设备封装：SOT-227

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：65 mOhm @ 42A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：543W

封装/外壳：SOT-227-4, miniBLOC

输入电容（Ciss ） @ VDS：10800pF @ 25V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：58A (Tc)

闸电荷（Qg ） @ VGS：340nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant