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APT56M50B2 /MOSFET Power MOSFET - MOS8
APT56M50B2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:T-MAX-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:56 A

Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:220 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:780 W

通道模式:Enhancement

商标名:POWER MOS 8

封装:Tube

高度:5.31 mm

长度:21.46 mm

宽度:16.26 mm

商标:Microchip / Microsemi

正向跨导 - 最小值:43 S

下降时间:33 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:38 ns

供应商APT56M50B2
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深圳市坤融电子有限公司APT56M50B2航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司APT56M50B2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司APT56M50B2深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司APT56M50B2广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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APT56M50B2MICRO-SEMI1+:¥88.01
10+:¥74.01
100+:¥68.011+:¥68.5
10+:¥62.28
25+:¥59.47
50+:¥57.8101
100+:¥57.8101
250+:¥57.8101
500+:¥57.8101
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APT56M50B2Microsemi CorporationPOWER MOSFET - MOS8 - Rail/Tube187 : $7.761
499 : $7.3273
999 : $7.1909
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Digi-Key 得捷电子
APT56M50B2Microsemi CorporationMOSFET N-CH 500V 56A T-MAX100 : $9.3116
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10+:¥74.01
100+:¥68.01
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Digi-Key 得捷电子
APT56M50B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 56A T-MAX$8.85000
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100+:¥57.8101
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500+:¥57.8101
1000+:¥53.08
2500+:¥52.57
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APT56M50B2Microsemi CorporationPOWER MOSFET TRANSISTOR250 : $7.54