包装管件

系列-

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）1700V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.25 欧姆 @ 2.5A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.2V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）21nC @ 20V

Vgs（最大值）+25V，-10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）249pF @ 1000V

FET 功能-

功率耗散（最大值）65W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247-3

封装/外壳TO-247-3