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APT58M50JU3 /分立半导体模块 Power Module - Mosfet
APT58M50JU3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:分立半导体模块

RoHS:

产品:Power MOSFET Modules

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:SOT-227-4

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

配置:Single

高度:9.6 mm

长度:38.2 mm

宽度:25.4 mm

商标:Microchip / Microsemi

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

下降时间:50 ns

Id-连续漏极电流:58 A

Pd-功率耗散:543 W

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms

上升时间:70 ns

工厂包装数量:1

子类别:Discrete Semiconductor Modules

商标名:POWER MOS 8, ISOTOP

典型关闭延迟时间:155 ns

典型接通延迟时间:60 ns

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

单位重量:30 g

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