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APT51M50J /分立半导体模块 Power MOSFET - MOS8
APT51M50J的规格信息
APT51M50J的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:分立半导体模块

RoHS:

产品:Power MOSFET Modules

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:SOT-227-4

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

配置:Single

高度:9.6 mm

长度:38.2 mm

宽度:25.4 mm

商标:Microchip / Microsemi

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

下降时间:39 ns

Id-连续漏极电流:51 A

Pd-功率耗散:480 W

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:64 mOhms

上升时间:55 ns

工厂包装数量:1

子类别:Discrete Semiconductor Modules

商标名:POWER MOS 8, ISOTOP

典型关闭延迟时间:120 ns

典型接通延迟时间:45 ns

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

单位重量:30 g

供应商APT51M50J
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深圳市坤融电子有限公司APT51M50J航都大厦10I0755-23990975
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深圳市赛美科科技有限公司APT51M50J广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市瑞浩芯科技有限公司APT51M50J深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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APT51M50JN-Channel MOSFET MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO276.68 Kbytes共4页APT51M50J的PDF下载地址IXTP02N50D,2SK3613-01,SI1304DL,FQP13N50CF,STB120NF10,STU100N3LF3,30N06,STB80NE03L-06_06,STD38NH02L_06,STK800_0609
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APT51M50JMICRO-SEMI1+:¥207.12
10+:¥191.57
50+:¥176.041+:¥161.17
5+:¥153.89
10+:¥149.66
25+:¥149.66
50+:¥149.66
100+:¥149.66
250+:¥149.66
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1000+:¥138.431+:¥156.6001
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APT51M50JAmerican Microsemiconductor, Inc.FET - 模块 - 分立半导体产品1+:¥207.12
10+:¥191.57
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25:¥181.5684
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Mouser 贸泽电子
APT51M50JMICRO-SEMI1+:¥207.12
10+:¥191.57
50+:¥176.041+:¥161.17
5+:¥153.89
10+:¥149.66
25+:¥149.66
50+:¥149.66
100+:¥149.66
250+:¥149.66
500+:¥142.86
1000+:¥138.43