FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：1200V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：71A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA（标准）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：179nC @ 20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2980pF @ 1000V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：34 毫欧 @ 50A，20V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

无铅情况/RoHs：否