Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：22A

Drain to Source Voltage (Vdss)：500V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：43nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：1900pF @ 25V

Mounting Type：Surface Mount

Package / Case：TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Power - Max：265W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：240 mOhm @ 11A, 10V

Supplier Device Package：D3 [S]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 1mA

包装：3D3PAK

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：500 V

最大连续漏极电流：22 A

RDS -于：240@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：8 ns

典型上升时间：6 ns

典型关闭延迟时间：18 ns

典型下降时间：2 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Rail / Tube