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APT45GP120B2DQ2G /IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
APT45GP120B2DQ2G的规格信息
APT45GP120B2DQ2G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:T-Max-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:3.3 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:113 A

Pd-功率耗散:625 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:113 A

高度:5.31 mm

长度:21.46 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:16.26 mm

商标:Microchip / Microsemi

集电极连续电流:113 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

商标名:POWER MOS 7 IGBT

供应商APT45GP120B2DQ2G
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佰思特(深圳)供应链管理有限公司APT45GP120B2DQ2G深圳市宝安区新桥街道上星社区中心路110号天悦大厦6010755-23570121
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深圳市芯幂科技有限公司APT45GP120B2DQ2G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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上海三崧电子有限公司APT45GP120B2DQ2G上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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APT45GP120B2DQ2GPOWER MOS 7 IGBT ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO436.45 Kbytes共9页APT45GP120B2DQ2G的PDF下载地址APT30GP60B,APT40GP90JDQ2,APT75GP120B2,APT30GP60BDQ1,APT45GP120B,APT75GP120J,TLP250,APT30GP60JDQ1,APT45GP120J,APT75GP120JDQ3
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