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APT44GA60BD30C /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT44GA60BD30C的规格信息
APT44GA60BD30C的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT44GA60xD30C

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:POWER MOS 8??

包装:管件

IGBT 类型:PT

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):78A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):130A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.6V @ 15V,26A

功率 - 最大值:337W

开关能量:409µJ(开),450µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:128nC

25°C 时 Td(开/关)值:16ns/102ns

测试条件:400V,26A,4.7 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247 [B]

供应商APT44GA60BD30C
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