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APT40GT60BRG /IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
APT40GT60BRG的规格信息
APT40GT60BRG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:345 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:80 A

高度:5.31 mm

长度:21.46 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:16.26 mm

商标:Microchip / Microsemi

集电极连续电流:80 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

商标名:Thunderbolt IGBT

单位重量:38 g

供应商APT40GT60BRG
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APT40GT60BRGMICRO-SEMI1+:¥73.03
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50+:¥59.87
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250+:¥49.6401
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APT40GT60BRGMicrosemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube256 : $5.8213
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APT40GT60BRGMicrosemi CorporationIGBT 600V 80A 345W TO247500 : $6.19752
250 : $6.79728
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1 : $10.0
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Digi-Key 得捷电子
APT40GT60BRGAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 单路 Thunderbolt IGBT® 分立半导体产品1+:¥73.03
10+:¥65.6999
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2500+:¥37.97
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APT40GT60BRGMICRO-SEMI1+:¥73.03
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10+:¥51.1
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100+:¥42.24
250+:¥42.24
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APT40GT60BRGMicrosemiIGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single1:¥75.3032
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APT40GT60BRGMicrosemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single TO-247 [B]
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APT40GT60BRGMicrosemi CorporationPOWER IGBT TRANSISTOR250 : $5.51