FET类型：N 沟道

技术：SiCFET（碳化硅）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：41A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA（标准）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：130nC @ 20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2560pF @ 1000V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

功率耗散（最大值）：273W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

封装形式Package：TO-247

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：1200V

连续漏极电流ID：41A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs