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APT36N90BC3G /MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
APT36N90BC3G的规格信息
APT36N90BC3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:36 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:252 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:390 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:5.31 mm

长度:21.46 mm

宽度:16.26 mm

商标:Microchip / Microsemi

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:400 ns

典型接通延迟时间:70 ns

单位重量:38 g

供应商APT36N90BC3G
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深圳市宇浩扬科技有限公司APT36N90BC3G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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芯莱德电子(香港)有限公司APT36N90BC3G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司APT36N90BC3G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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上海三崧电子有限公司APT36N90BC3G上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市高捷半导体有限公司APT36N90BC3G深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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集好芯城APT36N90BC3G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市芯泽盛世科技有限公司APT36N90BC3G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市瑞浩芯科技有限公司APT36N90BC3G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市华芯盛世科技有限公司APT36N90BC3G深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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APT36N90BC3GMICRO-SEMI1+:¥162.57
10+:¥150.36
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250+:¥117.85
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APT36N90BC3GMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 900V 36A TO-247500 : $15.35692
250 : $16.13588
100 : $17.5826
50 : $18.918
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1 : $22.26
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Digi-Key 得捷电子
APT36N90BC3GAmerican Microsemiconductor, Inc.FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品1+:¥162.57
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Mouser 贸泽电子
APT36N90BC3GMICRO-SEMI1+:¥162.57
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Mouser 贸泽电子
APT36N90BC3GMicrosemiMOSFET Power MOSFET - CoolMOS1:¥167.5903
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25:¥142.4591
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NexGen Digital
APT36N90BC3GMicrosemi CorporationPower MOSFET - CoolMOS TO-247 [B]
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Richardson RFPD
APT36N90BC3GMicrosemi CorporationPOWER MOSFET TRANSISTOR250 : $15.33