数据列表：APT33GF120(B2,L)RDQ2(G)

标准包装：25

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：-

包装：管件

IGBT 类型：NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：64A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：75A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：3V @ 15V，25A

功率 - 最大值：357W

开关能量：1.315mJ（开），1.515mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：170nC

25°C 时 Td（开/关）值：14ns/185ns

测试条件：800V，25A，4.3 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-264 [L]

其它名称：APT33GF120LRDQ2GMIAPT33GF120LRDQ2GMI-ND