数据列表：APT35GP120B(G) Power Products Catalog

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：POWER MOS 7®

包装：管件

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：96A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：140A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：3.9V @ 15V，35A

功率 - 最大值：543W

开关能量：750µJ（开），680µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：150nC

25°C 时 Td（开/关）值：16ns/94ns

测试条件：600V，35A，5 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247 [B]

其它名称：APT35GP120BGMIAPT35GP120BGMI-ND