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APT36GA60BD15 /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT36GA60BD15的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT36N90BC3G

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:POWER MOS 8??

包装:管件

IGBT 类型:PT

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):65A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):109A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,20A

功率 - 最大值:290W

开关能量:307µJ(开),254µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:18nC

25°C 时 Td(开/关)值:16ns/122ns

测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247 [B]

供应商APT36GA60BD15
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上海三崧电子有限公司APT36GA60BD15上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市安富世纪电子有限公司APT36GA60BD15深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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APT36GA60BD15MICRO-SEMI1+:¥60.55
10+:¥54.48
50+:¥49.63
100+:¥44.7901
250+:¥41.16
500+:¥37.53
1000+:¥32.69
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100+:¥35.03
250+:¥35.03
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APT36GA60BD15Microsemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI - Rail/Tube308 : $4.8975
499 : $4.4862
999 : $4.4071
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APT36GA60BD15Microsemi CorporationIGBT 600V 65A 290W TO-247500 : $5.13826
250 : $5.63552
100 : $6.1328
50 : $6.7958
10 : $7.459
1 : $8.29
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Digi-Key 得捷电子
APT36GA60BD15American Microsemiconductor, Inc.IGBT - 单路 POWER MOS 8?? 分立半导体产品1+:¥60.55
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100+:¥44.7901
250+:¥41.16
500+:¥37.53
1000+:¥32.69
2500+:¥31.48
5000+:¥30.2599
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Digi-Key 得捷电子
APT36GA60BD15Microchip TechnologyIGBT 600V 65A 290W TO-247$5.36000
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Mouser 贸泽电子
APT36GA60BD15MicrosemiIGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi1:¥62.3986
10:¥56.1723
25:¥51.1777
100:¥46.1831
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Mouser 贸泽电子
APT36GA60BD15MICRO-SEMI1+:¥60.55
10+:¥54.48
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100+:¥44.7901
250+:¥41.16
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250+:¥35.03
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5000+:¥30.65
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NexGen Digital
APT36GA60BD15Microsemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi TO-247 [B]
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