制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:T-MAX-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:440 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:260 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.04 kW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

正向跨导 - 最小值:34 S

下降时间:33 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:130 ns

典型接通延迟时间:39 ns