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APT25GT120BRDQ2G /IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
APT25GT120BRDQ2G的规格信息
APT25GT120BRDQ2G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:3.2 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:54 A

Pd-功率耗散:347 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:54 A

高度:5.31 mm

长度:21.46 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:16.26 mm

商标:Microchip / Microsemi

集电极连续电流:54 A

栅极—射极漏泄电流:120 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

商标名:Thunderbolt IGBT

单位重量:38 g

供应商APT25GT120BRDQ2G
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佰思特(深圳)供应链管理有限公司APT25GT120BRDQ2G深圳市宝安区新桥街道上星社区中心路110号天悦大厦6010755-23570121
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深圳市芯幂科技有限公司APT25GT120BRDQ2G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城APT25GT120BRDQ2G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司APT25GT120BRDQ2G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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APT25GT120BRDQ2GThunderbolt IGBT ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO428.21 Kbytes共9页APT25GT120BRDQ2G的PDF下载地址APT50GT60BRDQ2,APT50GT120JRDQ2,APT30GT60BRDQ2,APT20GT60BRDQ1,APT75GT120JR,APT75GT120JRDQ3,APT60GT60JRDQ3,APT25GT120BR,APT100GT60JR,APT15GT60BRDQ1
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APT25GT120BRDQ2GMICRO-SEMI1+:¥68.95
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APT25GT120BRDQ2GMicrosemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI - Rail/Tube271 : $5.5212
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Digi-Key 得捷电子
APT25GT120BRDQ2GAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 单路 Thunderbolt IGBT® 分立半导体产品1+:¥68.95
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Digi-Key 得捷电子
APT25GT120BRDQ2GMicrosemi CorporationIGBT 1200V 54A 347W TO247500 : $5.8497
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
APT25GT120BRDQ2GMicrosemiIGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi1:¥71.077
10:¥63.9354
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100:¥52.5563
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NexGen Digital
APT25GT120BRDQ2GMicrosemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi TO-247 [B]
RoHS : Compliant
$4.255
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Richardson RFPD
APT25GT120BRDQ2GMicrosemi CorporationPOWER IGBT TRANSISTOR68 : $5.54
100 : $5.33
250 : $5.2