FET 类型:N 沟道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):72nC @ 20V
Vgs(最大值):+25V,-10V
功率耗散(最大值):175W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):175 毫欧 @ 10A,20V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
封装/外壳:TO-247-3
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs