数据列表：APT26F120(B2,L)

标准包装：25

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：27A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：650 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：300nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：9670pF @ 25V

功率 - 最大值：1135W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA

供应商器件封装：TO-264 [L]

其它名称：APT26F120LMIAPT26F120LMI-ND