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APT25GP120BG /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT25GP120BG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT25GP120B Power Products Catalog

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:POWER MOS 7®

包装:管件

IGBT 类型:PT

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):69A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.9V @ 15V,25A

功率 - 最大值:417W

开关能量:500µJ(开),438µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:110nC

25°C 时 Td(开/关)值:12ns/70ns

测试条件:600V,25A,5 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247 [B]

其它名称:APT25GP120BGMIAPT25GP120BGMI-ND

供应商APT25GP120BG
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APT25GP120BGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 69A 417W TO247$8.83000
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