系列:POWER MOS 8™
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):23A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):260nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):8370pF @ 25V
Vgs(最大值):±30V
功率耗散(最大值):1040W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):700 毫欧 @ 12A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3 变式
封装形式Package:T-MAX
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:1200V
连续漏极电流ID:23A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs