FET类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）30A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4V，10V

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）40nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）1780pF @ 20V

Vgs（最大值）±20V

功率耗散（最大值）2W（Ta），25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）26 毫欧 @ 15A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

封装/外壳TO-220-3 整包

封装形式PackageTO-220F

极性PolarityN-CH

漏源极击穿电压VDSS60V

连续漏极电流ID30A

RoHS符合 RoHS

25 WPd - 功率消耗

安装风格Through Hole

封装/外壳SC-67-3

系列2SK3703

品牌ON Semiconductor

互导 - 最小值13 S

下降时间144 ns

最低工作温度- 55 C

上升时间110 ns

标准包装数量50

晶体管极性N-Channel

标准断开延迟时间166 ns

Vds - 漏-源击穿电压60 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压20 V

Id - C连续漏极电流30 A

Rds On - 漏-源电阻20 m0hms

配置Single

40 nCQg - 闸极充电

最高工作温度+ 150 C

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs