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2SK3681-01 /N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3681-01的规格信息
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晶体管极性:?频道

电流, Id ??续:43A

电压, Vds 最大:600V

在电阻RDS(上):160mohm

电压 @ Rds测量:10V

阈值电压, Vgs th 典型值:5V

功耗, Pd:600W

封装类型:TO-247

针脚数:3

功率, Pd:600W

功耗:600W

单脉冲雪崩能量 Eas:808.9mJ

封装类型:TO-247

封装类型, 替代:SOT-249

引脚节距:5.45mm

总功率, Ptot:600W

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

漏极电流, Id 最大值:43A

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:600V

电压, Vgs 最高:30V

电流, Idm 脉冲:172A

结温, Tj 最高:150°C

表面???装器件:通孔安装

重复雪崩电流, Iar:21.5A

阈值电压, Vgs th 最低:3V

阈值电压, Vgs th 最高:5V

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2SK3681-01Fuji Electric Co LtdMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 600V; RDS(ON) 0.12Ohm; ID +/-43A; TO-247; PD 600W; VGS +/-30V100 : $7.06
250 : $6.58