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2SJ278MYTR-E / Trans MOSFET P-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R
2SJ278MYTR-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

连续漏极电流:1 A

栅源电压(最大值):�20 V

功率耗散:1 W

安装:Surface Mount

工作温度范围:-55C to 150C

包装类型:UPAK

封装:Tape and Reel

引脚数:3 +Tab

极性:P

类型:Power MOSFET

元件数:1

工作温度分类:Military

通道模式:Enhancement

漏源导通电压:60 V

弧度硬化:No

供应商2SJ278MYTR-E
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2SJ278MYTR-ESilicon P Channel MOS FET RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO78.73 Kbytes共7页2SJ278MYTR-E的PDF下载地址RJK6014DPP,HAT2160H,RJK6014DPK,HAT2165N,HAT2092R,2SJ549,2SK1167,2SK1328,2SK1519,2SK1669
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2SJ278MYTR-ERenesas Electronics CorporationTrans MOSFET P-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R
RoHS : Compliant
10 : $0.39
100 : $0.3
500 : $0.27
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Quest Components
2SJ278MYTR-ERenesas Electronics Corporation1,027 : $0.169
186 : $0.195
1 : $0.65
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Quest Components
2SJ278MYTR-ENEC Electronics Group172 : $0.21
37 : $0.35
1 : $0.7