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2SJ221-E /Silicon P Channel MOS FET
2SJ221-E的规格信息
2SJ221-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

电流, Id 连续:20A

电压, Vds 最大:100V

在电阻RDS(上):220mohm

阈值电压, Vgs th 典型值:-2V

功耗, Pd:75W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)

功率, Pd:75W

功耗:75W

封装类型:TO-220AB

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V

电压, Vds 典型值:-100V

电流, Idm 脉冲:80A

表面安装器件:通孔安装

阈值电压, Vgs th 最高:-2V

供应商2SJ221-E
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2SJ221-ESilicon P Channel MOS FET RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO81.55 Kbytes共7页2SJ221-E的PDF下载地址RJK6014DPP,HAT2160H,RJK6014DPK,HAT2165N,HAT2092R,2SJ549,2SK1167,2SK1328,2SK1519,2SK1669
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