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2SJ278MYTL-E / Trans MOSFET P-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R
2SJ278MYTL-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:4UPAK

渠道类型:P

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:60 V

最大连续漏极电流:1 A

RDS -于:830@10V mOhm

最大门源电压:±20 V

典型导通延迟时间:7 ns

典型上升时间:8 ns

典型关闭延迟时间:30 ns

典型下降时间:25 ns

工作温度:-55 to 150 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

供应商2SJ278MYTL-E
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2SJ278MYTL-ESilicon P Channel MOS FET RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO78.73 Kbytes共7页2SJ278MYTL-E的PDF下载地址RJK6014DPP,HAT2160H,RJK6014DPK,HAT2165N,HAT2092R,2SJ549,2SK1167,2SK1328,2SK1519,2SK1669
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