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2SJ244 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
2SJ244的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻50mΩ @ 7A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型P沟道

供应商2SJ244
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2SJ244VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥0.9381
10+:¥0.6932
30+:¥0.6482
100+:¥0.6032
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