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2SJ197 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：58mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：P沟道
2SJ197的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.8A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻58mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.1W

类型P沟道

供应商2SJ197
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Digi-Key 得捷电子		2SJ197-D-T2-AZRenesas Electronics America IncP-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING$0.43000
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立创商城		2SJ197VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：58mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：P沟道1+:￥1.0549
10+:￥0.7795
30+:￥0.7289
100+:￥0.6783
500+:￥0.6559
1000+:￥0.6448
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