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2SA2013-TD-E /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 4A 50V
2SA2013-TD-E的规格信息
2SA2013-TD-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PCP-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V

集电极—基极电压 VCBO:- 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V

集电极—射极饱和电压:- 200 mV

最大直流电集电极电流:- 7 A

增益带宽产品fT:360 MHz

系列:2SA2013

直流电流增益 hFE 最大值:560

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:- 4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:200

Pd-功率耗散:3.5 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:51.500 mg

供应商2SA2013-TD-E
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司2SA2013-TD-E深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市成源运利电子科技有限公司2SA2013-TD-E深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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林先生Email:244673889@qq.com询价
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2SA2013-TD-E深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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2SA2013-TD-EBipolar Transistor ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO364.43 Kbytes共8页2SA2013-TD-E的PDF下载地址
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2SA2013-TD-EON SemiconductorON Semi 2SA2013-TD-E PNP Bipolar Transistor; 4 A; 50 V; 3-Pin PCP+10:$0.21
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+375:$0.20
+625:$0.20
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Allied Electronics
2SA2013-TD-EON Semiconductor2SA2013-TD-E, BIP PNP 4A 50V625 : $0.1434
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2SA2013-TD-EON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 50V1000+:¥1.28
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2SA2013-TD-EON Semiconductor2SA2013-TD-E价格未公开
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2SA2013-TD-EON SemiconductorBIP PNP 4A 50V - Tape and Reel4,000 : $0.1359
19,999 : $0.1252
39,999 : $0.1227
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2SA2013-TD-ESANYO Semiconductor Co Ltd价格未公开
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2SA2013-TD-ESANYO Semiconductor Co LtdBipolar transistor
RoHS : Compliant
1 : $0.237
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2SA2013-TD-ESANYO Semiconductor Company1000+:¥1.28
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Digi-Key 得捷电子
2SA2013-TD-EON SemiconductorTRANS PNP 50V 4A SOT89-31 : $0.47
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Digi-Key 得捷电子
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Rochester
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2SA2013-TD-EON(安森美)集电极电流Ic:4A 额定功率:1.3W 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:50V1+:¥2.61
200+:¥1.0101
500+:¥0.9746
1000+:¥0.957