2N7002W_R1_00001的供应商，2N7002W_R1_00001规格参数，2N7002W_R1

2N7002W_R1_00001 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道

2N7002W_R1_00001的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）115mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）200mW

类型N沟道

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深圳市芯幂科技有限公司	2N7002W_R1_00001	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市博浩通科技有限公司	2N7002W_R1_00001	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	2N7002W_R1_00001	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	2N7002W_R1_00001	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	2N7002W_R1_00001	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	2N7002W_R1_00001	中航路都会100大厦B座10Q	0755-82578328，0755-23914356 18617161819，15820786907	曹先生，吴小姐	询价

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2N7002W_R1_00001	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道	PANJIT(强茂)		161.85 Kbytes	共5页		无

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立创商城	2N7002W_R1_00001	PANJIT(强茂)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道	20+:￥0.111657 200+:￥0.084047 600+:￥0.078976 2000+:￥0.073904 10000+:￥0.071651 20000+:￥0.070537

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