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2N7002PW,115 /MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET
2N7002PW,115的规格信息
2N7002PW,115的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:310 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:310 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:2.2 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET

宽度:1.35 mm

商标:Nexperia

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:3 ns

单位重量:5 mg

供应商2N7002PW,115
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深圳市坤融电子有限公司2N7002PW,115航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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18938047708/18938048779
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深圳市辉华拓展电子有限公司2N7002PW,115深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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13352985419,19076157484
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13357276588
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2N7002PW,115MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO249.21 Kbytes共16页2N7002PW,115的PDF下载地址
2N7002PW,115连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):260mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO266.62 Kbytes共16页2N7002PW,115的PDF下载地址
2N7002PW,115的全球分销商及价格
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2N7002PW,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET3000+:¥0.34
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Digi-Key 得捷电子
2N7002PW,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323$0.22000
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Future(富昌)
2N7002PW,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET3000+:¥0.34
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Mouser 贸泽电子
2N7002PW,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET3000+:¥0.34
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Mouser 贸泽电子
2N7002PW,115NexperiaMOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET1:¥2.0792
10:¥1.3786
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Verical
2N7002PW,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET3000+:¥0.34
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立创商城
2N7002PW,115Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):260mW 类型:N沟道10+:¥0.216631
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