FET 类型2 个 N 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）320mA（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 10V
功率 - 最大值990mW
工作温度150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装SOT-363
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs