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2N7002PV,115 /MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V
2N7002PV,115的规格信息
2N7002PV,115的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-666-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:350 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.75 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:800 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:330 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:0.4 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:3 ns

单位重量:2.800 mg

供应商2N7002PV,115
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2N7002PV,115的全球分销商及价格
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