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2N7002TA /Diodes Incorporated/分立半导体产品
2N7002TA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

RoHS指令信息:RoHS Cert of Compliance

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V

功率 - 最大值:330mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3

其它名称:2N7002TR

供应商2N7002TA
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