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2N7002AQ-7 /MOSFET 2N7002 Family
2N7002AQ-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:180 mA

Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:5 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:370 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:2N7002AQ

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:80 mS

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商2N7002AQ-7
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2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 180MA SOT23$0.31000
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2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family1:¥2.147
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1,000:¥0.42262
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2N7002AQ-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):180mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 115mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道10+:¥0.314834
100+:¥0.23756
300+:¥0.223367
1000+:¥0.209174
5000+:¥0.202866
10000+:¥0.199749