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2N7002,215 /MOSFET N-CH TRNCH 60V 300MA
2N7002,215的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:300 mA

Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:830 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET

宽度:1.4 mm

商标:Nexperia

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

零件号别名:2N7002 T/R

单位重量:8 mg

供应商2N7002,215
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2N7002,215MOSFET N-CH 60V 300MA TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO850.87 Kbytes共13页2N7002,215的PDF下载地址
2N7002,215连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO153.13 Kbytes共13页2N7002,215的PDF下载地址
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