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2N7002（丝印12W） /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：430mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道

2N7002（丝印12W）的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）430mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3Ω @ 400mA,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）830mW

类型N沟道

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2N7002（丝印12W）	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：430mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道	SHIKUES(时科)		345.47 Kbytes	共6页		无

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立创商城	2N7002（丝印12W）	SHIKUES(时科)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：430mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道	50+:￥0.08093 500+:￥0.06342 1500+:￥0.060204 5000+:￥0.056988 25000+:￥0.055559 50000+:￥0.054853

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