FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）60pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

功率耗散（最大值）350mW（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）5 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-92-3

封装/外壳TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs