2N7002_R1_00001
/ N-CH MOS-FET 0,25A 60V SOT23
2N7002_R1_00001的规格信息
P( TOT ):0.35W
匹配代码:2N7002
包装:SOT23
单位包:3000
标准的提前期:19 weeks
最小起订量:3000
极化:N-CHANNEL
无铅Defin:RoHS-conform
我(D ):0.25A
V( DS ):60V
R( DS上):7.5Ohm
2N7002_R1_00001
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
2N7002_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):250mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 184.21 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | 2N7002_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):250mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 | 20+:¥0.115078 200+:¥0.090045 600+:¥0.085448 2000+:¥0.08085 10000+:¥0.078806 20000+:¥0.077797
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