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TK8A65W,S5X /MOSFET Power MOSFET N-Channel
TK8A65W,S5X的规格信息
TK8A65W,S5X的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:7.8 A

Rds On-漏源导通电阻:530 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

封装:Tube

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK8A65W

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:40 ns

单位重量:6 g

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