数据列表:TK8A65D -
标准包装:50
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:散装
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):840 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220SIS
其它名称:TK8A65D(Q)TK8A65D(STA4QM)TK8A65DSTA4QM