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TK8A50D(STA4,Q,M) /MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
TK8A50D(STA4,Q,M)的规格信息
TK8A50D(STA4,Q,M)的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220SIS-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:850 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK8A50D

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:1 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:40 ns

单位重量:2 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK8A50D(STA4,Q,M)北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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深圳市天卓伟业电子有限公司TK8A50D(STA4,Q,M)深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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Mouser 贸泽电子		TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm1:¥12.9837
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0738
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