数据列表:TK7S10N1Z -
标准包装:2,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):48 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):470pF @ 10V
功率 - 最大值:45.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK+
其它名称:TK7S10N1Z,LQ(OTK7S10N1ZLQTR