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TK8A60DA(STA4,Q,M) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TK8A60DA(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：TK8A60DA -

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.5A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1050pF @ 25V

功率 - 最大值：45W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220SIS

其它名称：TK8A60DA(STA4QM)TK8A60DASTA4QM

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