Rohs：Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：End Of Life 30/July/2009

标准包装：2,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：200V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：100mA

Rds（最大）@ ID，VGS：25 Ohm @ 100mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：45pF @ 25V

功率 - 最大：625mW

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：TO-92-3

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

标准包装名称：TO-92

欧盟RoHS指令：Compliant

渠道类型：N

封装：Tape and Reel

最大漏源电阻：25000@10V

最大漏源电压：200

供应商封装形式：E-Line

最大功率耗散：625

最大连续漏极电流：0.1

引脚数：3

FET特点：Standard

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：100mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 1mA

供应商设备封装：TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：25 Ohm @ 100mA, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：625mW

标准包装：2,000

漏极至源极电压（Vdss）：200V

输入电容（Ciss ） @ VDS：45pF @ 25V

封装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

其他名称：ZVN3320ASTOACT